真空自耗電弧熔煉過程的實質是借助直流電弧的熱能把已知化學成分的金屬自耗電極在低壓或在惰性氣氛中進行重新熔煉。
熔煉本身是一個定向連續過程。在高溫加熱形成的熔池區內，液態鈦合金成分和雜質不斷地擴散有助于均勻化，隨后凝固成錠。
在鈦的真空自耗電極熔煉中，發生了熔化和凝固兩個可逆的相變過程。這兩個過程都屬于固液相多相反應，并伴隨發生了一些物理化學變化，如圖1-14所示。熔煉過程有以下幾步。

1 熔化
熔化鈦從海綿體變為液體，是發生體積變小和比表面積縮小的過程，因此，也是比表面能降低的過程。在相變過程中，自由能的變化ΔG包括體積自由能變化ΔG和表面積自由能變化ΔG、兩項。此時，AGy <0,ΔGs <0,所以有：ΔG=ΔGv+ΔGs <0.
只要達到熔化溫度，此過程便能自發進行。因為此時不存在克服表面能壘的問題，所以熔化時不需要過熱度。在熔煉純鈦時，只要達到鈦的熔點（1668℃)即可。在熔煉鈦合金時，熔化過程在一個溫度范圍內進行，比純鈦的熔化要復雜得多。鈦合金的熔點與其成分有關，必須高于液相線溫度才能開始熔化。

2 液態金屬的擴散
熔池里的液態金屬在磁場的攪拌作用下，大大增加了熔池內合金組元和雜質的擴散作用，有利于成分的均勻化。
3 凝固和結晶
從液態鈦或鈦合金中凝固結晶出新的晶粒時，有新相生成，此時液固相反應的自由能變化ΔG為：
ΔG=ΔG3+ΔGy=4/3m3AG2+4mro

式中 r-晶粒半徑，
ΔGb－單位鈦或鈦合金體積的自由能變化；
σ-單位鈦或鈦合金表面積的自由能。
計算表明，晶粒半徑只有超過臨界半徑時，晶粒方能長大。此時的粒子半徑稱為臨界半徑r.的計算式為：rc=-2σ/ΔGb
凝固過程有新相生成，屬非均相成核過程，需要克服成核時的表面能壘的影響。開始結晶的核心是在冷銅坩堝壁處的粗糙表面上。結晶的一般過程是由生核和長大兩過程交錯重疊組合而成的。對于單個晶粒而言，存在明顯的形核和長大階段。但從液態金屬整體凝固過程而言，兩者是交織在一起的。

形核的數目與鈦液結晶時的過冷度大小有關。過冷度越大，形核幾率越大，形核數目也越多。此時，可以生成晶粒細小的鈦錠。
由于晶體成長時內外條件的差異性，晶體的外形是多種多樣的。決定因素一方面是結晶物質固有的特性，另一方面是結晶過程中固液界面上溫度分布狀況。晶體的形狀呈樹枝狀，長大的方向與散熱的最快方向相反。由于結晶成核屬非均相成核，成核中心即為活化中心。最初的活化中心為熔池內結晶器壁某些凸出部位。一旦條件允許，初次成核后的晶體便迅速向熔池縱深生長，而形成枝晶的主干，也稱一次枝晶。隨著一次枝晶的生長而不斷出現新枝芽，新枝芽發展為新枝晶稱為二次枝晶，它的空間位置與一次枝晶互相垂直。接著又出現三次枝晶、四次枝晶·.最終的結晶物為樹枝狀結構。
鈦的真空自耗電弧熔煉是一個快速并產生大批結晶體的過程，不同條件下形成的微觀結構是不一樣的。圖1-15所示為典型液態金屬凝固組織示意圖。由于鈦鑄錠均在坩堝內冷凝而成，不電相其外形即為坩堝的形狀，鈦錠實際結構相類似。
鈦錠結構一般有三層凝固區。錠表層由一層極細的排列不規則的等軸晶粒組成，為急冷區，是凝固早期高速成核所致。臨近的第二區晶粒細長而方向垂直于坩堝壁，稱為柱狀晶區。它是散熱速度較穩定，導致定向凝固，并使晶粒長大所致。最內區為排列不規則但遠比急冷區大的等軸晶粒。晶粒的增大是由于凝固后期散熱速度較低所致。
結晶過程有兩大特點，一是冷卻速度快；二是結晶過程即為鈦錠逐漸凝固過程，錠子上部存在著一個高溫金屬熔池。由于熔煉的過熱度大，金屬熔池保持較大的軸向溫度梯度和徑向溫度梯度而形成較深的熔池。

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